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mos场效应管

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aic1660 36uA低静态电流CMOS开关电容电压转换器
aic1660是一种单片CMOS开关电容电压变换器。aic1660的主要功能是将1.5V至6V范围内的正输入电压转换为-1.5V至-6V范围内的相应负输出电压。 该芯片包括一系列直流电源调节器、振荡..
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MEM2302  SOT-23 N沟道MOS管
描述: MEM2302系列N沟道增强型功率场效应管(MOSFET),采用高单元密度的DMOS沟道技术。MEM2302高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。MEM2302XG适用于低压应用,例如移动..
¥0.14
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MEM2309SG原装正品金属氧化层半导体场效应晶体管
特点: ? -30V/-6A ? RDS(ON) =53mΩ@ VGS=-10V,ID=-6A ? RDS(ON) =68mΩ@ VGS=-4.5V,ID=-4A ? 超大密度单元、极小的RD..
¥0.20
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MEM2318系列原装正品封装TSSOP8微盟MOS管
MEM2318典型应用: ? 电源设备 ?? 电池保护  ? 电源设备 ?? 电源管理  ? 电源设备 ?? 负载开关  ? 变频/控制/驱动电路 ?? 低功率D..
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MEM8205M6G ME原装正品 SOT23-6微盟MOS管
描述: ME8205系列 共漏极N沟道增强型功率场效应(MOSFET),采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。MEM8205适用于低压应用,例如移动电话,笔记本电..
¥0.15
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双沟道NMOS管 MEM2306SG SOP-8 原装正品
  MEM2306描述: MEM2306系列双N沟道增强型功率场效应管(MOSFET),采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。MEM2306适用于..
¥0.14
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场效应MOS管 MEM2301 封装SOT23-3 ME原装现货
描述: MEM2301M3G系列P沟道增强型功率场效应管(MOSFET),采用高单元密度的DMOS沟道技术。 这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。MEM2301M3G系列适用于低压应用..
¥0.14
税前: ¥0.14
场效应MOS管 MEM2307 封装SOT23-3 ME原装现货
MEM2307 详细介绍   MEM2307描述: MEM2307系列P沟道增强型功率场效应管(MOSFET),采用高单元密度的DMOS沟道技术。MEM2307高密度的工艺特别适用..
¥0.14
税前: ¥0.14
场效应MOS管 MEM2310 封装SOT23-3 ME原装现货
MEM2310特点: ?  30V/5.8A ?  RDS(ON) =25mΩ@ VGS=10V, ID=5.8A ?  RDS(ON) =28mΩ@ VGS=4...
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特价现货原装MEM2303M3G 场效应管
MEM2303描述: MEM2303系列P沟道增强型功率场效应管(MOSFET),采用高单元密度的DMOS沟道技术。MEM2303高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。MEM2303适用于低压应用,例..
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